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| 基本信息 | |
| 【中文】 磷化铟 |
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| 【英文名称】 INDIUM(III) PHOSPHIDE Indium monophosphide Indium phosphide (InP) indiummonophosphide InP Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM Indium phosphide wafer Indiumphosphidemetalsbasispiecesanddownblack Indiumphosphidepolycrystallinelump Indiumphsophidewafer INDIUM(III) PHOSPHIDE, PIECES, 3-20 MESH , 99.998% Indium phosphide, polycrystalline lump, 99.99% polycrystallinelump INDIUM PHOSPHIDE WAFER - 51MM DIA. X 0.35MM INDIUM PHOSPHIDE LUMP Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis) Indium(III) phosphide, 99.999% (metals basis) Indium(III) phosphide, 99.9999% (metals basis) Phosphinetriylindium(III) Phosphinidyneindium(III) |
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| 【CAS】 22398-80-7 |
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| 【中文名称】 磷化铟 磷化铟晶体INP 磷化铟, 99.9999% (METALS BASIS) 磷化铟, 多晶块, 99.99% (METALS BASIS) 磷化铟, 99.999% (METALS BASIS) |
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| 【EINECS 编号】 244-959-5 |
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| 【分子式】 InP |
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| 【MDL 编号】 MFCD00016153 |
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| 【分子量】 145.79 |
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| 【MOL 文件】 22398-80-7.mol |
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| 【所属类别】 无机化工产品: 无机盐: Cm磷化合物及磷酸盐 |
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| 物理化学性质 | |
| 【外观性状】具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数：10.8。电子迁移率：约4600 cm2/V?s。空穴迁移率：约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。 | |
| 【熔点 】1070°C | |
| 【密度 】4,787 g/cm3 | |
| 【form 】pieces | |
| 【Merck 】14,4953 | |
| 理化性质 | |
| 【形态】pieces | |
| 【水溶解性 】Insoluble in water. | |
| 【CAS 数据库】22398-80-7(CAS DataBase Reference) | |
| 应用领域 | |
| 【用途一】用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要1.1～1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。 | |
| 安全数据 | |
| 【危险品标志 】T | |
| 【安全说明 】S24/25 | |
| 【危险品运输编号 】3288 | |
| 【WGK Germany 】3 | |
| 【RTECS 】NL1800000 | |
| 【RTECS号】NL1800000 | |
| 【TSCA 】Yes | |
| 制备方法 | |
| 【方法一】用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In-PCl3-H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。气相外延将石英反应管放在双温区电炉中，已净化的高纯氢气经计量通入，氢气也用来稀释三氯化磷，此时彭泡器保持在0℃，通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。在第一阶段，将盛有铟的石英舟放在电炉中源区，通入氢气并加热到700～850℃，再用氢气将三氯化磷引入，在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。在第二阶段，铟源保持在原位置不加热，单晶衬底放在电炉的第二加温区后，在氢气氛下加热到600～750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀，清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管，并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入，这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应，在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后，向系统中通入纯氢气，将两个温区冷却到室温，取出产物，制得磷化铟成品。 | |
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