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| 基本信息 | |
| 【中文】 氮化镓 |
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| 【英文名称】 GALLIUM(III) NITRIDE GALLIUM NITRIDE galliummononitride galliumnitride(gan) Gallium(III) nitride, 99.99+% metals basis GALLIUM NITRIDE POWDER 99.99%(metalsbasis) Gallium Nitride, -100 Mesh Germanium selenide, 99.99% (metals basis) Nitrilogallium |
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| 【CAS】 25617-97-4 |
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| 【中文名称】 氮化镓 硒化锗 氮化镓, 99.99% (METALS BASIS) |
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| 【EINECS 编号】 247-129-0 |
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| 【分子式】 GaN |
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| 【MDL 编号】 MFCD00016108 |
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| 【分子量】 83.73 |
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| 【MOL 文件】 25617-97-4.mol |
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| 物理化学性质 | |
| 【熔点 】800 °C(lit.) | |
| 【密度 】6.1 | |
| 【敏感性 】Moisture Sensitive | |
| 【Merck 】14,4351 | |
| 理化性质 | |
| 【沸点 】decomposes at >600℃ [KIR78] | |
| 【折射率 】2.70 (27℃) | |
| 【形态】Powder | |
| 【颜色】Yellow | |
| 【水溶解性 】Slightly soluble in hot concentrated sulfuric acid and hot conc. sodium hydroxide. Insoluble in water and dilute acids. | |
| 【稳定性】Stability Store under dry argon. Water and moisture sensitive. Incompatible with strong oxidizing agents. | |
| 【CAS 数据库】25617-97-4(CAS DataBase Reference) | |
| 安全数据 | |
| 【安全说明 】S22-S24/25 | |
| 【WGK Germany 】3 | |
| 【RTECS 】LW9640000 | |
| 【RTECS号】LW9640000 | |
| 【F 】10-21 | |
| 【TSCA 】Yes | |
| 常见问题列表 | |
| 【第三代半导体材料】第三代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为代表，是5G时代的主要材料，其中氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的市场和发展空间最大。 氮化镓作为第三代半导体材料，有更高的禁带宽度，是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，下游应用包括微波射频器件(通信基站等)，电力电子器件(电源等)，光电器件(LED照明等)。不过，第三代半导体材料中，受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。 实际上，氮化镓（GaN）技术并不是一种新的半导体技术，自1990年起就已经常被用在发光二极管中，但成本昂贵。从制造工艺上来说，氮化镓没有液态，不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶，需要纯靠气体反应合成，而氮气性质非常稳定，镓又是非常稀有的金属（镓是伴生矿，没有形成集中的镓矿，主要从铝土矿中提炼，成本比较高），而且两者反应时间长，速度慢，反应产生的副产物多。生产氮化镓对设备要求又苛刻，技术复杂，产能极低，众多因素叠加影响导致氮化镓单晶材料很贵。 | |
| 25617-97-4(安全特性,毒性,储运) | |
| 【储运特性】库房通风低温干燥 | |
| 【毒性分级】低毒 | |
| 【急性毒性】口服-小鼠LDL0: 10000 毫克/公斤; 腹腔-小鼠LDL0: 5000 毫克/公斤 | |
| 【类别】有毒物品 | |
| 【灭火剂】干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水 | |
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