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| 基本信息 | |
| 【中文】 锑化铟 |
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| 【英文名称】 INDIUM ANTIMONIDE antimonycompd.withindium(1:1) indiumcompd.withantimony(1:1) Indium antimonide (99.99%-In) PURATREM Indiumantimonideblackxtl indium stibide INDIUM ANTIMONIDE, 99.99+% Indium antimonide, 99.5% INDIUM ANTIMONIDE, 99.999% indium antimonide, electronic grade Antimony-indium Indium antimonide, Electronic Grade, 99.99% (metals basis) Indium antimonide, 99.999% (metals basis) InSb wafer: P-Type, (211)+/-1°: Resist.8-18 Ohm cm: cc:4-9 x1013ücm-3ü (77K): 1 side polished: dia 18-30mmx0,7mm thick Stibinetriylindium(III) |
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| 【CAS】 1312-41-0 |
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| 【中文名称】 锑化铟 锑化铟晶片 锑化铟, 99.999% (METALS BASIS) 锑化铟, ELECTRONIC GRADE, 99.99% (METALS BASIS) |
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| 【EINECS 编号】 215-192-3 |
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| 【分子式】 InSb |
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| 【MDL 编号】 MFCD00016146 |
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| 【分子量】 236.58 |
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| 【MOL 文件】 1312-41-0.mol |
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| 物理化学性质 | |
| 【熔点 】535°C | |
| 【密度 】5,76 g/cm3 | |
| 【Merck 】14,4948 | |
| 安全数据 | |
| 【危险品标志 】Xn,N | |
| 【危险类别码 】R20/22-R51/53 | |
| 【安全说明 】S61 | |
| 【危险品运输编号 】UN 1549 6.1/PG 3 | |
| 【WGK Germany 】2 | |
| 【RTECS 】NL1105000 | |
| 【危险等级】6.1 | |
| 【包装类别】III | |
| 常见问题列表 | |
| 【概述】锑化铟(InSb)是研究得较早、较深入的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。其晶体呈银色、质脆，为闪锌矿结构.晶格常数为6.48Å，是一种直接带隙材料，其禁带宽度较窄，为0.18eV，而电子迁移率高达7800cm2/V·s，可用来制作红外探测器，光磁探测器和Hall器件。 | |
| 【应用】InSb单晶电子迁移率高，是良好的红外探测器件、霍耳器件、磁阻器件的衬底材料。例如，对应于大气透射窗口3～5μm波段的成像器件和InSb焦平面阵列器件。 | |
| 1312-41-0(安全特性,毒性,储运) | |
| 【储运特性】库房通风低温干燥 | |
| 【毒性分级】中毒 | |
| 【急性毒性】腹腔-小鼠LD50:3700 毫克/公斤 | |
| 【类别】有毒物品 | |
| 【灭火剂】干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水 | |
| 【职业标准】TWA 0.1 毫克(铟)/立方米 | |
| 知名试剂公司产品信息 | |
| 【Alfa Aesar】锑化铟,99.999%(metalsbasis)Indium antimonide, 99.999% (metals basis)(1312-41-0) | |
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