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| 基本信息 | |
| 【中文】 磷化镓 |
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| 【英文名称】 GALLIUM PHOSPHIDE galliummonophosphide Gallium phosphide (99.999% Ga) PURATREM GALLIUM PHOSPHIDE, 99.99% GALLIUM PHOSPHIDE, SINGLE CRYSTAL SUBST& Gallium phosphide, polycrystalline, 99.9% GALLIUM PHOSPHIDE: 99.9% Gallium phosphide, 99.999% (metals basis) Galenium Phosphide Phosphinidynegallium |
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| 【CAS】 12063-98-8 |
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| 【中文名称】 磷化镓 磷化镓, 99.999% (METALS BASIS) |
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| 【EINECS 编号】 235-057-2 |
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| 【分子式】 GaP |
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| 【MDL 编号】 MFCD00016109 |
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| 【分子量】 100.7 |
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| 【MOL 文件】 12063-98-8.mol |
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| 物理化学性质 | |
| 【外观性状】橙色透明的晶体。熔点1477℃。相对密度4.13。其离解压为3.5±1MPa。难溶于稀、浓盐酸、硝酸。是半导体。 | |
| 【熔点 】1480 °C | |
| 【密度 】4.13 g/mL at 25 °C | |
| 【闪点 】230 °F | |
| 【Merck 】14,4353 | |
| 应用领域 | |
| 【用途一】用于太阳能电池转换率高的InGaAsP/InP等半导体中。发光二极管大量用于控制灯、显示仪表或面发光元件等，发光二极管所用磷化物半导体有GaP、GaAsP等。红色发光二极管使用GaP或GaAsP等。黄、橙色发光二极管以GaAsP为主体。 | |
| 安全数据 | |
| 【危险品标志 】Xi | |
| 【危险类别码 】R36/37 | |
| 【安全说明 】S26 | |
| 【危险品运输编号 】3288 | |
| 【WGK Germany 】2 | |
| 【RTECS 】LW9675000 | |
| 【F 】10-21 | |
| 制备方法 | |
| 【方法一】目前主要用高压单晶炉液体密封技术和外延方法制备磷化镓晶体。液体密封直拉法采用高压单晶炉，将多晶磷化镓加入单晶炉的合金石英坩埚中，再经抽真空、熔化，在充以5.5 Mpa氩气压下，用三氧化二硼液封拉晶。因磷化镓分解压力很大，在典型生长条件下，有一定量的磷溢出并与三氧化二硼作用，使三氧化二硼透明性变差，并有部分冷凝在观察孔上妨碍观察，为此可用X射线扫描及称量法等来控制晶体直径，制得磷化镓单晶成品。合成溶质扩散法(SSD法)将镓放入石英坩埚中，镓源温度在1100～1150℃之间，坩埚底部放磷化镓籽晶处温度为1000～1050℃，磷源温度为420℃，这时产生约0.1 Mpa磷蒸气压，在1150℃磷化镓的离解压为0.67Pa，所以在0.1 Mpa磷蒸气压下，磷化镓可以稳定生长。开始时，磷蒸气与处在高温的镓表面反应生成磷化镓膜。此磷化镓溶于下面的镓液中并向坩埚底部扩散，由于坩埚底部温度较低，当磷化镓超过溶解度时，就会析出晶体，如磷源足够，最后会将镓液全部变成磷化镓晶体。磷化镓外延生长用上述方法制备的单晶主要用来作衬底。用液、气相外延方法能用来制备薄膜单晶。磷化镓液相外延方法主要有浸渍法、转动法和滑动舟法。目前采用较多的是滑动舟法。气相外延主要有：Ga-PCI3-H2；GaHCl-PH3-H2；GaP-H2O(HCl)-H2系统和MOCVD法(金属有机热分解气相生长法)。最近采用InP与InP；aAsP多层结构半导体开发了具有光增幅、光演算、光记忆等功能的元件。 | |
| 上下游产品信息 | |
| 【上游原料】二氧化硅-->氩-->三氧化二硼-->钆 | |
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